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Untersuchung von Kobaltsilizid-Prozessen für die Anwendung an Basis-Kontakten integrierter Si-SiGe-Heterobipolartransistoren


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ISBN:9783899591552
Personen:
Zeitliche Einordnung:2004
Umfang:VIII, VII, 127 S
Format:; 21 cm
Sachgruppe(n):620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau
Verlag:
Osnabrück : Der Andere Verl.
Schlagwörter:Heterobipolartransistor ; Silicium ; Germanium ; Basis <Elektrotechnik> ; Kontaktieren ; Cobaltsilicide

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