Eigenschaften von verspannten epitaktischen AlGaInN-Multiheterostrukturen
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FAQ zum Buch
Der Text besagt, dass die Situation verbessert werden könnte, wenn während der Abscheidung moderate kompressive Spannungen erreicht werden. Es wird erwähnt, dass keine zusätzlichen GaInN-Puffer verwendet werden. Dieses FAQ wurde mit KI erstellt, basierend auf der Quelle: S. 16, ISBN 9783899593518
Im hexagonalen Kristallsystem müssen die Ungleichungen {44} > 0$, {11} > |c_{12}|$ und $(c_{11} + c_{12})c_{33} > 2c_{13}^2$ erfüllt sein, um die positive elastische Energie für stabile Kristalle zu garantieren. Dieses FAQ wurde mit KI erstellt, basierend auf der Quelle: S. 45, ISBN 9783899593518
Die Spannungsintensitätsfaktoren hängen von der Geometrie des belasteten Körpers, der Rißkonfiguration und der äußeren Belastung ab. Sie sind keine Materialparameter, sondern werden durch die Randbedingungen des Problems bestimmt. Dieses FAQ wurde mit KI erstellt, basierend auf der Quelle: S. 55, ISBN 9783899593518
Die kompressive Verspannung in der obersten Schicht reduziert sich monoton von -966 MPa bei einer kritischen Schichtdicke von 50 nm auf -198 MPa bei 10 nm. Dies zeigt, dass mit kleineren kritischen Schichtdicken die Spannung abnimmt. Dieses FAQ wurde mit KI erstellt, basierend auf der Quelle: S. 102, ISBN 9783899593518
Thermisch induzierte Zugspannungen wurden als Hauptursache für die Mikrorisse in III-Nitrid-Multischichten identifiziert. Dies wurde durch die Analyse der Dehnungsstruktur und der Rissöffnungen in gekrümmten III-Nitrid-Multischichten abgeleitet. Dieses FAQ wurde mit KI erstellt, basierend auf der Quelle: S. 14, ISBN 9783899593518
Bei der Epitaxie von GaN auf mathrm{H}-mathrm{SiC}$ beträgt die Gitterfehlanpassung = -3,4%$, bei Saphir = -13,9%$. Diese negativen Werte deuten auf eine kompressive Verspannung in beiden Fällen hin, da die Gitterkonstante der Schicht kleiner ist als die der Substratmaterialien. Dieses FAQ wurde mit KI erstellt, basierend auf der Quelle: S. 39, ISBN 9783899593518
