Untersuchungen zur Realisierung einer lichtadressierten elektrischen Kontaktierung elektrogener Zellen mit in sub-µm-Dimensionen frei wählbarem Ort - Volker Bucher
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FAQ zum Buch
Die experimentellen Untersuchungen wurden vom 01.04.1998 bis zum 31.08.2001 am Naturwissenschaftlichen und Medizinischen Institut (NMI) an der Universität Tübingen, Markwiesenstrasse 55 in Reutlingen durchgeführt. Dieses FAQ wurde mit KI erstellt, basierend auf der Quelle: S. 5, ISBN 9783936231694
Eine erhöhte Lichtintensität führt dazu, dass mehr Einfangzustände in Rekombinationszustände umgewandelt werden. Dies verschiebt das steady-state-Fermi-Niveau zum Leitungsband hin und verringert die Lebensdauer der Elektronen, da die Dichte der Rekombinationszustände steigt. Dieses FAQ wurde mit KI erstellt, basierend auf der Quelle: S. 78, ISBN 9783936231694
Die Kapazität der Helmholtz-Doppelschicht wird mit der Formel für den Plattenkondensator beschrieben, die durch $ C = frac{varepsilon_{0} varepsilon A}{d} $ dargestellt wird. Dabei steht $ varepsilon_{0} $ für die Dielektrizitätskonstante des Vakuums und $ varepsilon $ für die relative Dielektrizitätskonstante des Elektrolyten. Dieses FAQ wurde mit KI erstellt, basierend auf der Quelle: S. 17, ISBN 9783936231694
Der zusätzliche Elektrolytwiderstand $R_{E 2}$ dient dazu, das Stimulationssignal nach Austritt aus der Zelle zur Referenzelektrode abzuleiten. Er ist Teil des elektrischen Ersatzschaltbildes und ermöglicht den kontrollierten Stromfluss des Signals. Dieses FAQ wurde mit KI erstellt, basierend auf der Quelle: S. 24, ISBN 9783936231694
Die Ladungsträgergeschwindigkeit v wird durch die Gleichung $v = frac{mu_{D} U}{d}$ berechnet, wobei $mu_{D}$ die Mobilität, $U$ die angelegte Spannung und $d$ die Schichtdicke der a-Si:H-Schicht sind. Sie hängt direkt von der Mobilität der Ladungsträger, der Spannung und der Schichtdicke ab. Dieses FAQ wurde mit KI erstellt, basierend auf der Quelle: S. 45, ISBN 9783936231694
Das Messgerät war eine Keithley Source-MeasureUnit 236. Dieses wurde zusammen mit einem Laser-Scan-Mikroskop Zeiss LSM410 eingesetzt, um die Schaltverhalten der amorphen wasserstoffhaltigen Siliziumschichten zu analysieren. Dieses FAQ wurde mit KI erstellt, basierend auf der Quelle: S. 53, ISBN 9783936231694
