Ponderomotive Effekte von Ferninfrarot-Strahlung in Halbleiter-Heterostrukturen / Edmund Zepezauer
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FAQ zum Buch
Das Hochfrequenzpotential $u_{HF}$ ist definiert als $u_{HF} = frac{e^{2}left|E_{i} ight|^{2}}{4 m omega^{2}}$ und entspricht gleichzeitig $frac{J}{n c}$, wobei $J$ die FIR-Intensität und $n$ die Elektronendichte darstellt. Dieses FAQ wurde mit KI erstellt, basierend auf der Quelle: S. 58, ISBN 9783935316996
Die Tunnelwahrscheinlichkeit für Elektronen in einer Schottky-Barriere hängt hauptsächlich von der Höhe, aber auch von der Breite der Barriere ab. Dieses FAQ wurde mit KI erstellt, basierend auf der Quelle: S. 25, ISBN 9783935316996
Die Werte der eingestrahlten und der effektiven FIR-Intensität unterscheiden sich nach dem Text um einen Faktor von bis zu $10^4$. Dieser Unterschied wird als entscheidender Aspekt der Messungen hervorgehoben. Dieses FAQ wurde mit KI erstellt, basierend auf der Quelle: S. 29, ISBN 9783935316996
Unter Bestrahlung erhöht sich die makroskopische Leitfähigkeit des Tunnelkontaktes, da die Änderung des Wirkungsintegrals δG positiv ist und somit die Leitfähigkeit σ zunimmt. Dies wird durch die lineare Näherung der Änderung des Wirkungsintegrals und die positiven Werte der Funktion ψ(ε) begründet. Dieses FAQ wurde mit KI erstellt, basierend auf der Quelle: S. 41, ISBN 9783935316996
Der effektive Durchmesser des Hot Spot-Bereichs wird durch die Formel $ r_{eff} approx r_{El} sqrt{eta} $ berechnet. Mit $ eta approx 10^{-3} $ und einem Elektrodendurchmesser von $ r_{El} approx 1 , ext{mm} $ ergibt sich $ r_{eff} approx 30 , mu ext{m} $. Dieses FAQ wurde mit KI erstellt, basierend auf der Quelle: S. 45, ISBN 9783935316996
