Oxygen-related trapping and recombination centres in boron-doped crystalline silicon - Karsten Bothe
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FAQ zum Buch
Ein starker vertikaler Magnetfeld (über 0,15 T) erhöht die Sauerstoffeinlagerung in die Siliziumkristalle auf Konzentrationen über faqarrayquestion[0]:Welche Auswirkungen hat ein starker vertikaler Magnetfeld (über 0,15 T) auf die Sauerstoffkonzentration bei der Czochralski-Wachstumsmethode?
Die normalisierte Defektdichte N_τ ist definiert als N_τ = 1/τ_d - 1/τ_0, wobei τ_0 die hohe Trägerlebensdauer nach dem Ausheilen bei 200°C und τ_d die stabile niedrige Trägerlebensdauer nach vollständiger Degradation darstellt. Sie dient als Maß für die Konzentration der Defekte. Dieses FAQ wurde mit KI erstellt, basierend auf der Quelle: S. 128, ISBN 9783899594744
Die Arbeit zielt darauf ab, die Defektbildung und deren Vernichtung zu analysieren, die Rolle von Bor und Sauerstoff zu untersuchen, den physikalischen Mechanismus der Trägerlebensdauer-Degradation zu bestimmen und ein Defektbildungsmodell zu entwickeln, das die experimentellen Ergebnisse erklären kann. Dieses FAQ wurde mit KI erstellt, basierend auf der Quelle: S. 13, ISBN 9783899594744
Die stabile Trägerlebensdauer τ_d zeigt eine fast invers quadratische Abnahme mit zunehmender Konzentration von interstitiellem Sauerstoff [O_i]. Dies wird in Abbildung 7.2 dargestellt, wo die Messwerte eine klare invers quadratische Beziehung zeigen. Dieses FAQ wurde mit KI erstellt, basierend auf der Quelle: S. 130, ISBN 9783899594744
