Oxygen-related trapping and recombination centres in boron-doped crystalline silicon - Karsten Bothe
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FAQ zum Buch
Ein starker vertikaler Magnetfeld (über 0,15 T) erhöht die Sauerstoffeinlagerung in die Siliziumkristalle auf Konzentrationen über $1 imes 10^{18} mathrm{~cm}^{-3}$. Dies steht im Kontrast zu schwächeren vertikalen Feldern unter 0,1 T, die striationenreduzierender wirken, aber zu einer stärkeren radialen Dotierstoffverteilung führen. Dieses FAQ wurde mit KI erstellt, basierend auf der Quelle: S. 20, ISBN 9783899594744
Die normalisierte Defektdichte N_τ ist definiert als N_τ = 1/τ_d - 1/τ_0, wobei τ_0 die hohe Trägerlebensdauer nach dem Ausheilen bei 200°C und τ_d die stabile niedrige Trägerlebensdauer nach vollständiger Degradation darstellt. Sie dient als Maß für die Konzentration der Defekte. Dieses FAQ wurde mit KI erstellt, basierend auf der Quelle: S. 128, ISBN 9783899594744
Die Arbeit zielt darauf ab, die Defektbildung und deren Vernichtung zu analysieren, die Rolle von Bor und Sauerstoff zu untersuchen, den physikalischen Mechanismus der Trägerlebensdauer-Degradation zu bestimmen und ein Defektbildungsmodell zu entwickeln, das die experimentellen Ergebnisse erklären kann. Dieses FAQ wurde mit KI erstellt, basierend auf der Quelle: S. 13, ISBN 9783899594744
Die stabile Trägerlebensdauer τ_d zeigt eine fast invers quadratische Abnahme mit zunehmender Konzentration von interstitiellem Sauerstoff [O_i]. Dies wird in Abbildung 7.2 dargestellt, wo die Messwerte eine klare invers quadratische Beziehung zeigen. Dieses FAQ wurde mit KI erstellt, basierend auf der Quelle: S. 130, ISBN 9783899594744
